EOS 事件是由于异常高的电压或电流施加在电路上所引起的，可能持续时间为数微秒 (microsecond) 至数秒间。通常，EOS 事件的峰值电压和电流没有 ESD 事件高，但是，它们仍然具有很大的破坏性。
EOS 事件可能由数个不同的事件而引起的，例如，感性负载如果突然关断，可能会施加高压在输出电路上。具有电容的电缆在插入设备时可能引起过流情况。在设备没有正确接地时，也可能会发生 EOS 事件。
防止 EOS 故障要结合良好的系统设计和使用电路保护器件，正确的系统接地是有效的 EOS 设计策略的第一步。正确地接地后，你可以使用电路保护器件来避免不能控制的外部危险。
过电压冲击(EOS)保护器件
电路保护元件包括陶瓷气体放电管(GDT)、瞬态抑制二极管（TVS）、静电保护元件（ESD）、半导体固体放电管（TSS）、压敏电阻（MOV）、玻璃气体放电管（SPG）、自恢复保险丝（PPTC）等。
静电放电(ESD)/ 过电压冲击(EOS)的防护方案
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