BS0640N-C-F、BS4200N-C-F系列半导体放电管产品具有极间电容小，漏电流小，浪涌吸收能力强，稳定性强等产品特性。
主要优点：
>采用标准表面贴装式DO-214AA封装
>10/1000μs波形时的峰值浪涌能力达到100A
>10/700μs波形时的峰值浪涌能力达到6KV
>响应速度快,达到uS级
>漏电流小
>极间电容低
>不含卤素且符合RoHS及Reach测试标准
应用案例
我们为以太网提供了两种不同的防护器件，专为保护该接口的高速差分线路而设计，型号分别为BV03C-H和BS4200N-C-F。
BV03C-H为一款超低电容瞬态电压抑制器阵列，其工作电压为 3.3V，符合IEC61000-4-2 4级ESD防护规范和IEC 61000-4-5 3级雷击浪涌防护规范，在 ±15kV空气放电、 ±15kV接触放电和2kV浪涌电压下提供瞬变保护。
BS4200N-C-F是一款半导体放电管TSS，该器件的工作电压为400V，通常用于帮助保护敏感的电信设备，如通信线路信号线路和数据传输线路免受由雷电和设备切换操作引起的瞬变浪涌电压的损坏。
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