静电保护器件（ESD） 是由一个或多个 TVS 晶粒采用不同的电路拓扑制成具有特定功能的多路或单路 ESD 保护器件。ESD二极管反向并联于电路中，当电路正常工作时，ESD处于截止状态（高阻态），不影响电路正常工作。当电路出现异常过电压并达到 ESD二极管的击穿电压时，ESD二极管迅速由高阻态变为低阻态，泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地，同时把异常过电压钳制在一个安全水平之内，从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。
ESD二极管保护原理图
ESD二极管的参数说明
■VRWM（Reversestand-off voltage）：反向截止电压
即允许施加的最大工作电压，在该电压下ESD 处于截止状态，ESD 的漏电流很小，为几微安甚至更低。
■VBR（Reversebreakdown voltage）：反向击穿电压
ESD 要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA 的电流下测量。
■IR（Reverseleakage current）：反向漏电流
即在ESD 器件两端施加VRWM电压下测得ESD 的漏电流。
■IPP（Peakpulse current）：峰值脉冲电流
ESD 产品一般采用8/20μs 的波形测量。
■VC（Clampingvoltage）：钳位电压
在给定大小的IPP 下测得ESD两端的电压。大部分ESD 产品VC 与VBR 及IPP 成正比关系，电流越大，钳位电压也越高。
■C j（Offstate junction capacitance）：结电容
结电容与芯片面积、工作电压有关系。相同电压下，芯片面积越大结电容越大。相同芯片面积下，工作电压越高结电容越低。
选型步骤
深圳市浪拓电子拥有国内领先的浪涌静电保护技术。
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