举行日期:2017年7月12日
举行时间:14:00 - 15:30 (北京时间)
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研讨会介绍
此次英飞凌发布1200V-Plus系列IGBT单管产品,在工业应用领域有着深远的意义。Plus系列在原来经典的TO-247封装内,把安装孔去掉,封装了更大的芯片, 不但电流能力变大,基板的散热能力也得到很大的提高,在去年英飞凌发布的600V-Plus系列的最大电流已经能做到120A,而英飞凌刚刚发布的1200V-Plus系列的最大电流达到了75A。在越来越追求功率密度的时代,这无疑是对UPS设计者是一个福音,将帮助UPS设计工程师大幅的提高UPS的功率密度。
SiC-MOSFET的应用已经成为趋势,近期英飞凌也推出了1200V-SiC-MOSFET,电流能力从45mΩ的TO-247封装到11mΩ的Easy封装,能够大大增加UPS设计的系统功率密度,提升系统效率,对于UPS产业是一个革命性转变。
演讲专家
施俊 - 英飞凌科技市场营销经理
简介:1999年7月毕业于浙江大学, 获得电气工程学士学位, 2004年7月毕业于浙江大学,获得电力电子博士学位,2005年赴英国谢菲尔德大学访问,同年9月任西门子(中国)研究院工程师,2010年,成立江苏禾力清能电气有限公司,任总经理,2013年,加入英飞凌科技(中国)有限公司负责市场营销工作。
公司介绍
英飞凌科技股份有限公司(总部位于德国纽必堡)致力于提供半导体和系统解决方案,为现代社会解决三大主要挑战:高能效、移动性和安全性。2014 财年(截至 9 月 30 日),公司的销售额达43 亿欧元,在全球范围内拥有约29,800 名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)挂牌上市。
如需了解更多详情,请访问:http://www.infineon.com/cms/cn/。
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