STM32L系列单片机内部提供了EEPROM存储区域，但实质上，其FLASH也是EEPROM类型，只不过有一块区域被开放出来专门用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用寿命设计为100000次擦写以上，容量为2K-4K，这对于一般设备的参数存储来说是非常理想的。但从EEPROM使用方式看，其不适用于被反复修改的数据存储使用，一般作为配置参数，其修改次数往往是比较少量的。

STM32L的EEPROM和FLASH是统一编址，操作共用同一个读写电路，所以在EEPROM读写的时候STM32L核对于FLASH的一切访问和操作都将暂停，只有当EEPROM的操作完成后，才继续执行后续代码，在这期间只有EEPROM的读写电路工作，CPU处于挂起状态。

读操作，和FLASH以及内存一样，EEPROM的数据读取直接用总线读周期读出即可，不需要进行额外操作和设置。
1.#define EEPROM_BASE_ADDR    0x08080000   
  • 2.#define EEPROM_BYTE_SIZE    0x0FFF  
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    以上定义EEPROM区的起始位置和大小，给定偏移量之后，可以按字节/半字/字/双字方式读出，但要注意的是最好偏移地址都按四字节对齐，以免产生总线访问错误或是取不正确：
    1./*------------------------------------------------------------
  • 2. Func: EEPROM数据按字节读出
  • 3. Note:
  • 4.-------------------------------------------------------------*/  
  • 5.void EEPROM_ReadBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)  
  • 6.{  
  • 7.    uint8 *wAddr;  
  • 8.    wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
  • 9.    while(Length--){  
  • 10.        *Buffer++=*wAddr++;  
  • 11.    }     
  • 12.}  
  •    
  • 1./*------------------------------------------------------------
  • 2. Func: EEPROM数据读出
  • 3. Note:
  • 4.-------------------------------------------------------------*/  
  • 5.void EEPROM_ReadWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)  
  • 6.{  
  • 7.    uint32 *wAddr;  
  • 8.    wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
  • 9.    while(Length--){  
  • 10.        *Buffer++=*wAddr++;  
  • 11.    }     
  • 12.}  
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    以上方法使用字节和字方式读出，在后面方法中，在一个字的存储空间内只使用了16个位，另16位不用，这样以避免产生对齐问题。

    EEPROM的编程比读操作要复杂的多，本质上来说，擦除操作和写入操作是一样的，擦除只是在相应的地方写入0x00000000，但在STM32L的实现上，根据其手册说明貌似把这种擦除和写入区分开了，当写入0x00或0x0000或0x00000000时，自动执行一次擦除操作，在值为非0时，才执行一次所谓的写入操作。数据的写入过程先要对EEPROM进行解锁，这通过对特殊寄存器写入特殊序列实现，然后在写入之前进行擦除操作，其擦除是按字/ 双字/页进行的，推荐使用页擦除方式进行，先把参数读到内存，并修改，再进行页擦除，最后将参数写回，这种方式比较通用，否则很容易出现地址对齐或长度问题。在数据擦除完成之后，即可进行写入，每写一字节/半字/双字，都需要判断其是否写入完成，这和内部高压擦写电路有关，只有在上次操作完成之后再进行其它操作才有意义。最后，对EEPROM进行加锁，以保护数据。

    下是手册给出的解锁命令码：
    1.#define PEKEY1  0x89ABCDEF      //FLASH_PEKEYR  
  • 2.#define PEKEY2  0x02030405      //FLASH_PEKEYR  
  •     以下分别实现按字节和字方式写入：   
  • 1./*------------------------------------------------------------
  • 2. Func: EEPROM数据按字节写入
  • 3. Note:
  • 4.-------------------------------------------------------------*/  
  • 5.void EEPROM_WriteBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)  
  • 6.{  
  • 7.    uint8 *wAddr;  
  • 8.    wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
  • 9.    DIS_INT  
  • 10.    FLASH->PEKEYR=PEKEY1;                //unlock  
  • 11.    FLASH->PEKEYR=PEKEY2;  
  • 12.    while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);  
  • 13.    FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;        //not fast write  
  • 14.    while(Length--){  
  • 15.        *wAddr++=*Buffer++;  
  • 16.        while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);  
  • 17.    }  
  • 18.    FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;  
  • 19.    EN_INT  
  • 20.}  
  •    
  • 1./*------------------------------------------------------------
  • 2. Func: EEPROM数据按字写入
  • 3. Note: 字当半字用
  • 4.-------------------------------------------------------------*/  
  • 5.void EEPROM_WriteWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)  
  • 6.{  
  • 7.    uint32 *wAddr;  
  • 8.    wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
  • 9.    DIS_INT  
  • 10.    FLASH->PEKEYR=PEKEY1;                //unlock  
  • 11.    FLASH->PEKEYR=PEKEY2;  
  • 12.    while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);  
  • 13.    FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;        //not fast write  
  • 14.    while(Length--){  
  • 15.        *wAddr++=*Buffer++;  
  • 16.        while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);  
  • 17.    }  
  • 18.    FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;  
  • 19.    EN_INT  
  • 20.}  
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    以上代码中，在写入数据之前先关闭系统中断DIS_INT，写入完成之后打开系统中断EN_INT，这样避免在执行写操作的过程中被中断过程所打断，引起CPU异常或锁死，在在使用中一定要注意。在MDK环境中，两个可以这样定义：
    1.#define EN_INT          __enable_irq();     //系统开全局中断  
  • 2.#define DIS_INT         __disable_irq();    //系统关全局中断  
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    本文转自网络。