通信电子线路中，由于通常是高频小信号，不可以使用模电（低频电子线路）中的图解法来分析，因为在高频时，其中包括了低频电路中不需要考虑的极间电容（高频时用以分流），而特性曲线只有在低频（或直流）情况下取得的关系不足以反应高频的工作特性。
可用Y参数等效电路通过导纳分析，晶体管存在内部反馈；并通过混合π \piπ型等效电路进一步分析晶体管内部的物理过程。
高频：
介于3MHz与30MHz之间的频率
中频：
300KHz 到 3000KHz的频率
低频：
无线电波段中，将30～300千赫范围内的频率称低频;电子放大电路中，将接近音频(20赫兹～2万赫兹)的频率称为低频
形式等效电路
晶体管工作在线性区，可看成线性元件，可用有源四端网络参数微变等效电路来分析。
发射机发出的信号微弱，需要经过高频载波放大后再传至接收端。
信号的放大元件继承模电中的晶体管来进行分析。
通过输出短路的方式，可以得出y参数模型的形式等效电路。
短路导纳参数是晶体管本身的参数，只与晶体管的特性有关，与外电路无关，所以为内部参数。
当接入外电路，构成放大器后，由于输入端和输出端都接有外电路，于是得出相应的放大器y参数，它们不仅与晶体管有关，而且与外电路有关，故称为外参数。
其中电压放大倍数是我们重点关心的特性，可以理解为右端网络中导纳Y L 与 Y o e Y_L与Y_{oe}YL与Yoe上的电压V 2 V_2V2与等效电流源y f e V 1 y_{fe}V_1yfeV1的比值，下标f,r代表正向（forward），反向(reverse)，e代表共发射极电路的参数。
Y i Y_iYi输入导纳与负载导纳Y L Y_LYL有关，这反映了晶体管有内部反馈，而这个内部反馈是通过反向传输导纳y r e y_{re}yre所引起的。
A u A_uAu说明晶体管的正向传输导纳越大，则放大器的增益也越大；负号表示输入电压与输出电压相位相反，这是模电常识。
混合π型等效电路
为了考虑晶体管的物理特性，引入混合л等效电路。
电容对交流的阻碍作用是容量越大阻碍越小、频率越高阻碍越小。
容抗X c = 1 2 π f C X_c=\frac{1}{2\pi fC}Xc=2πfC1
容值C越小的电容在同一时间内道流入流出的电荷也相对较少，所以电容值越小，表现出对电流阻碍越大
交流电频率越大，也自然更容易对电容进行充放电
极间电容的容量很小，一般百P以下，对于高频可视为通路，对于低频可视为断路，所以在低频电路里可不用考虑极间电容，而在高频电路则一定要考虑。
高频管的极间电容比低频管的小得多。
C b ′ c C_{b^{'}c}Cb′c可忽略，C b ′ e C_{b^{'}e}Cb′e必须保留。
单调谐回路谐振放大器
高频小信号放大器的电路分析包括：
- 多级分单级
- 静态分析
- 动态分析
- 整合系统
多级分单级
前级放大器是本级放大器的信号源；后级放大器是本级放大器的负载（右端网络无论多复杂均可等效为负载）。
静态分析
画出直流等效电路，其简化规则：交流输入信号为零；所有电容开路；所有电感短路。
动态分析
画出交流等效电路， 其简化规则：有交流输入信号，所有直流量为零；所有大电容短路；所有大电感开路。（谐振回路L、C保留）
直流电源高频时接地（即电源短路），扼流电感（即大电感）等效开路，隔离电容（即大电容）等效短路，其它小电容、小电感照画
再画出交流小信号等效电路
并将耦合电感左侧电流源y f e v b e y_{fe}v_{be}yfevbe和并联电阻y o e y_{oe}yoe分别去抽头，将C点挂到3处，54认为挂在31之间，也将5挂到3上，最后只保留31。
进一步分析晶体管物理性质，将y参数电路继续等效。
省略输入端反向传输导纳及电流源，将y o e y_{oe}yoe等效为电纳g o 1 g_{o1}go1和一电容C o 1 C_{o1}Co1并联，同理也将负载Y L Y_{L}YL等效为g i 2 g_{i2}gi2和C i 2 C_{i2}Ci2并联，在传输电感L 1 L_1L1处再并联一个自身电纳G p G_{p}Gp
最终整合为一个单调谐回路
有了这些参数，电压增益也可求了。
既然是一个单调谐电路，那么让导纳虚部为0就可获得谐振时的电压增益：
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