中国的电子产业链发展迅速，国内半导体元器件也已经越来越越缺货到不可思议的地步了，多因素驱动导致场效应管需求快速扩张。场效应管作为高压H桥PWM马达驱动产品的重要元器件，仅靠市面上常用的IRF640也不足以支撑使用。

这个时候就会比较多电子工程师想要找一款能够代用IRF640的场效应管。尤其如果是国内的货源，试样也会比较方便。

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而市面上的确也是有比较好能够替代IRF640用在高压H桥PMW马达驱动中的场效应管。就是飞虹的FHP640A。这款FHP640A的主要封装形式是 TO-220 ，脚位排列位GDS。这款场效应管参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：18；BVdss（V）：200。

因为以上的参数特点，所以这一款型号是能够与IRF640场效应管型号匹配在高压H桥PWM马达驱动中使用。

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目前这款N沟道增强型高压功率MOS场效应管：FHP640A，目前广泛使用的场景是高压H桥PMW马达驱动，DC-AC电源转换器，DC-DC电源转换器，48V/60V输入逆变器前级DC-DC
升压电路，AC110V输出电压的修正波DC-AC全桥逆变电路。在使用性能参数方面能够与IRF640对标使用。

FHP640A场效应管的特点是漏极直流电流18A，漏-源电压200V，导通电阻RDS(on) =0.18Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快，低内阻。

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飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，至今已经有33年半导体行业经验以及18年研发、制造经验。目前飞虹产品已经在开关电源、逆变器、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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