低电容瞬态电压抑制器二极管阵列
DFN1006-2L小型封装的双向ESD保护芯片（12V TVS管）DC1221P1L，结电容仅为15pF
DC1221P1L特性：通过IEC61000-4-2（ ESD）：±30 kV--空气 ±30kV--接触通过IEC61000-4-5（Lightning）： 5A(8/20uS)在额定电压下，漏电流小于0.2uA低钳位电压VC小于16V（1A 8/20uS)无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准绿色环保塑封，符合IEC61249标准 外壳：DFN1006-2L封装端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
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邢思前
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