第三代半导体具备高频、高效、高功率、 耐高温高压等特点，契合节能减排、智能制造等国家重大战略需求，已成为全球半导体技术和产业新的竞争焦点。国家先后印发鼓励性、支持性政策，推动支持 SiC 等第三代半导体材料的制造及应用技术突破。
SiC 功率器件可以降低损耗，减小模块体积重量，随着新能源汽车市场迅速发展，SiC 功率器件在高端新能源汽车控制器中大批量应用。根据 IHS 数据，预计到 2027 年碳化硅功率器件的市场规模将超过 100 亿美元。
而SiC也是此次斯达半导募资的重点，继三个月前斯达半导拟2.29亿元投建全碳化硅功率模组产业化项目后，再豪掷20亿加码SiC项目。
本次斯达半导为其高压特色工艺功率芯片和 SiC 芯片研发及产业化项目，募资20亿。项目计划建设周期为3年，可助力其实现高压特色工艺功率芯片和 SiC 芯片研发及产业化。达产后，预计将形成年产 36 万片功率半导体芯片的生产能力。
发行完成后，斯达半导的主营业务范围保持不变，注册资本发生变化，发行后沈华、胡畏夫妇合计控制公司股份的比例将由 44.54%下降至 40.49%，仍为公司实际控制人。
斯达半导称，SiC方面，本次募资将有助于公司把握新能源汽车快速发展的市场机遇，满足市场需求；丰富产品线，实现智能电网和轨道交通行业高压功率器件的国产化替代。
功率半导体方面，有助于其紧追功率半导体市场快速发展机遇，满足市场需求；提升企业质量管控能力，进一步提高公司产品质量稳定性；进一步提升企业对下游市场的供货保障能力，提高客户供应链安 全性，提升企业竞争力。
本次发行完成后，公司资产总额与净资产额将同时增加，资金实力将大幅增强。
文稿来源：化合物半导体市场
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