MOSFET导通电阻分析
对于MOSFET，欧姆电阻不仅仅只考虑沟道电阻，对于阻断电压在50V以上的器件中低掺杂中间区域的电阻起到决定作用。
Mosfet中电流通路和电阻
分析内阻的功率VD-MOSFET结构电流图
RON= RCS +RN++RCH+RA+RJFET+RD+RSUB+RCD
1）源接触电阻RCS：N+源区与源电极（S）之间的接触电阻；
ρC：元胞结构内每个N+源区的接触电阻；
WC：接触口窗口宽度；
WS：N+源区离子注入窗口宽度；
Z：图中横截面垂直方向的元胞长度；
通常采用低势垒的金属接触，比如钛或者钛硅化物来降低特征接触电阻。
2）源区电阻RN+：电流从接触孔进入N+源区到达沟道之前必须沿源区流过；
3）沟道电阻RCH：
4）积累电阻RA：
5）JFET电阻RJFET：
6）漂移区电阻RD:
7）N+衬底电阻RSUB：
8）漏接触电阻RCD：
通常采用低势垒的金属接触，钛作为接触层，镍作为阻挡层，银层作为焊料层。
VD-MOSFET总导通电阻统计：
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