阻容吸收电路是在电源供电的开关和关闭，或开关电源的上升和下降引起的瞬态尖峰的重要办法。它们通常主要是起到保护作用的，一般是由一些无源器件组成的网络，用来控制电路中无功元件产生的振荡。合理的缓冲电路，可以提高电路的可靠性和效率，降低EMI，并实现更高的工作频率。
其作用是：阻容吸收器可有效抑制高压操作瞬间产生的电压震荡和冲击电流，使高频震荡冲击电流迅速衰减，降低对负荷设备的冲击影响，对高压保护因冲击产生误动作都非常有效。
下面所要说的是三种常见的阻容吸收电路，又叫阻容保护，用于吸收电路通断时产生过电压。
第一种是电动机控制电路中的三相阻容保护，当停止电机运转时，断路器快速断开，电机绕组中的电流不能突变，产生自感电动势，在断路器动静触头间产生过电压，很容易造成拉弧放电。
另外过高的电压也会破坏电机绝缘，并接三相阻容保护后，因为电容两端的电压不能突变，相间过电压给电容充电，尖峰电压被电容吸收，保护了电路中的元件。尖峰过后，电容通过电阻放电，恢复正常状态。
第二种是快速整流二极管的过压吸收电路，在开关电源的低压侧整流电路中，整流二极管工作在快速通断状态，因电路中电感的 作用，会在二极管两端产生过电压，作为半导体器件，很容易被过电压击穿，有了阻容吸收电路，在二极管未导通前的过压期间，对电容充电，二极管完全导通后，电容放电，恢复到正常状态。二极管截止时，因电感产生的过电压也会通过阻容吸收形成通路。使尖峰电压降低。
用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低（合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压），而且吸收损耗也更小。二极管可以采用贴片的（快速开关二极管，如果参数合适，1N4148不错），电阻电容都可以用贴片的。
第三种是可控硅的保护电路，可控硅二极管一样，易受过压击穿，在阳极、阴极间并联阻容吸收电路后。
在可控硅有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在额定结温和门极断路条件下，使可控硅从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了可控硅的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。
可控硅两端的过压因电容充电而降低，可控硅导通后，电容通过电阻、可控硅放电，为下一次的保护作好准备。可控硅截止时的保护原理与二极管的阻容保护原理完全相同。
以上是常见的过吸收电路。
总结一下，通过上面对常见的三种阻容吸收电路的分析，对比不同的电路，采用合适的阻容吸收，阻容吸收电路降低电压或电流尖峰; 可以间接的改善EMI特性。 在设计RC吸收电路时,我们必须了解整个电源网络的几个重要参数,比如输入电压、输入电流、尖峰电压、尖峰电流等。最终可用来控制电路中无功元件产生的振荡。合理的缓冲电路，可以提高电路的可靠性和效率，降低EMI，并实现更高的工作频率。
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