浪拓电子SMCJxxx(C)A瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和ESD保护应用，采用紧凑型芯片封装DO-214AB (SMC) 尺寸格式。瞬态电压抑制器系列提供从5V至440V击穿电压选择，SMCJxxx(C)A瞬态电压抑制器二极管符合JEDEC标准。
特性
· 表面贴装SMC封装
· 击穿电压：5V至110V
· 功率损耗：1500W
· 符合RoHS指令，不含卤素
· 符合AEC-Q101标准
应用· 电源总线保护
· 保护I/O接口
· 过压瞬态保护
· 电信、计算机、工业和消费电子应用
浪拓电子提供一系列瞬态电压抑制二极管，包含静电保护二极管及功率保护二极管，完整保护客户线路避免雷击/EFT/突波/静电所造成损坏。
SMAJ-系列具有400W功耗、40A峰值正向浪涌电流，采用紧凑型DO-214AC (SMA) 尺寸封装。
SMBJ-器件采用DO-214AA (SMB) 尺寸封装，具有600W功耗和60A峰值正向浪涌电流。
SMCJ-元件采用紧凑型DO-214AB (SMC) 尺寸封装，具有1500W最小峰值脉冲功耗和160A峰值正向浪涌电流。
/3 
