特性:
1.8 mm爬电和间隙距离,以及0.4 mm绝缘距离,
以实现可靠的高压绝缘
2.中功率IGBT/MOSFET的3.0 A峰值输出电流驱动能力
–在输出级使用P沟道MOSFET可使输出电压摆动接近供电轨
3.20 kV/μs最小共模抑制
4.宽电源电压范围:10 V至30 V
5.全工作温度范围内的快速开关速度
–210 ns最大传播延迟
–65 ns最大脉宽失真
6.带滞后的欠压锁定(UVLO)
7.扩展的工业温度范围:-40°C至100°C
8.安全和监管批准:
–UL1577,5000 VACRMS,持续1分钟
–DIN EN/IEC60747-5-5,1140V峰值工作绝缘电压
应用:
变频器
工业逆变器
不间断电源
感应加热
电动/混合动力汽车

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