特性：
1.屏蔽栅极 MOSFET 技术
2.最大rDS(on) = 56 mΩ（VGS = 10 V，ID = 4.4 A）
3.最大rDS(on) = 71 mΩ（VGS = 6 V，ID = 3.8 A）
4.最大rDS(on) = 75 mΩ（VGS= 4.5 V，ID = 3.7 A）
5.低rDS(on)和高效的高级硅封装
6.下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
7.MSL1 耐用封装设计
8.100% 经过 UIL 测试
9.符合 RoHS 标准
常备现货，近期到货有限，有需要的可以联系。
长期供应，欢迎咨询！有需要的宝宝可以找我申样， Mobile：13723773226
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