SLM2015CA-DG数明深力科是一种高电压、高速电源MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高侧和低侧参考输出通道。专有HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固的单片建设逻辑输入与兼容标准CMOS或LSTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达160。广泛应用于冰箱，步进电机，工业风机，工业缝纫机，车载逆变器，按摩椅等不用领域。
特性：
SLM2015CA-DG数明深力科
-为引导程序设计的浮动通道活动
-完全工作至+160 V
-耐受负瞬态电压，dV/dt有免疫力
-栅极驱动电源范围从10 V到18 V
-欠压锁定
-3.3 V、5 V逻辑兼容
-防交叉导通逻辑
-两个信道的匹配传播延迟
-内部设定死区时间
-高侧/低侧输出与HIN/LIN同相输入
SLM2015CA-DG详情.jpg
SLM2015CA-DG电路图.jpg
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