数明新品SiLM27511H一款高欠压保护阈值的单通道高速低边门极驱动器
SiLM27511H 系列单通道、高速、低侧栅极驱动器可以有效地驱动 MOSFET 和 IGBT 电源开关。SiLM27511H 系列产品采用一种内在最小化直流电流的设计，可以将高峰值电流脉冲源和下沉到电容性负载中，从而提供铁路到铁路的驱动能力和极小的传播延迟，通常为18ns。SiLM27511H 可以在15V VDD 电源下提供4个 A 源、5个 A 汇峰驱动电流能力。
产品特性
-低成本的门驱动器设备提供优越的替代 NPN 和 PNP 离散解决方案
-4A一个峰值源和5A一个峰值汇流
-快速传播延迟(典型为18ns)
-快速上升时间(典型为9毫微秒)
-快速下降时间(典型为6毫微秒)
- 13.5 V 至20V 单电源范围
-低压锁定
-TTL 和 CMOS 兼容的输入逻辑阈值
-双输入设计(反相或非反相驱动器配置的选择)
-当输入引脚浮动时，输出保持在低位
-操作温度范围为 -40 °C 至140 °C
-封装SOT23-6
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