IC制程技术的不断发展、高速数据传输接口的大行其道，使得相关的ESD防护变得日益困难。对更快处理速度和更高功能密度的强烈需求，推动IC制造者进一步缩减MOS元件的最小尺寸，尤其当制造技术转向90nm以下时，IC芯片体积越来越小、密度越来越高、功能越来越复杂，而其使用的电磁环境却日趋严酷，也使其更易遭受ESD、过压及过流的损害。同时，各种高速接口的持续发展，特别是便携式多媒体设备的高速成长，使得数据的高速传输成为必然。而怎样才能在保护接口安全的同时保证数据的高速传输，已然成为高频数据接口面对的难题。

高速数据传输接口电路保护的主要困难是，保护器件的过大寄生电容会造成一定程度的信号衰减，从而降低显示质量。因此，ESD器件要根据其所保护的电路接口的信号频率，选择足够低电容以及稳定ESD分流能力的ESD器件，并在元件尺寸、ESD保护性能以及实现的便利性之间进行取舍。在高速数据接口电路上添加ESD保护时，必须考虑外加电容和电感对高速差分信号的时序影响。

为满足高速数据通信接口既使得ESD保护有效、又不影响高速信号传输的要求。近年来，市场上推出了多种专门适用于此类保护要求的器件。

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在ESD保护器件的选择方面，传统上常用的ESD保护器件有齐纳二极管、片式压敏电阻（MLV）和瞬态电压抑制二极管（TVS）。

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