器件选型
在进行GDT的选型时，需要考虑直流击穿电压和通流量。因直流击穿电压必须要高于系统最高工作电压，避免常态会误触发，但是较低的击穿电压可以保证更快响应且后端电路残压更低。B3D090M-C系列GDT器件的结电容仅为1.5pF，且可提供最大10KA的通流量，足够保证在需要等级下测试的可靠。
两级防护。当RS485总线上有过压产生时，气体放电管进行共模保护，此时过电压被钳制到约400V左右，再经过热敏电阻PTC进行限流， TVS二次钳压后，到485芯片的电压被钳位到12V以内，从而实现对485芯片的防护。
深圳浪拓电子提供如下系列产品
各种普玻璃气体放电管.
各种陶瓷气体放电管.
各种半导体放电管.
各种瞬能电压抑制器(200W~30KW).
各种氧化锌压敏电阻(插件系列:5mm~20mm;贴片系列:0603~1210).
ESD保护器件(2.5V-36V工作电压).
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