NTMFS5C410NLTT1G
NTMFS5C410NLTWFT1G
NTMFS5C410NLTT3G
NTMFS5C410NLTWFT3G
NTMFS5C410NLT1G产品特性：
漏源击穿电压：最小为 40V，这意味着在漏极和源极之间能够承受的反向电压至少为 40V，保证了器件在一定电压范围内的正常工作和可靠性。
最大漏极电流：可达 330A（绝对最大值），连续漏极电流在不同温度条件下有所不同，其强大的电流承载能力使其适用于高功率的电路应用。
导通电阻：最大为 0.0012 欧姆，较低的导通电阻能够减少器件在导通状态下的能量损耗，提高电路的效率。
栅极电荷：栅极电荷参数会影响 MOSFET 的开关速度，该型号的栅极电荷参数对于其在高频应用中的性能表现具有重要意义。
封装形式：采用小型封装，DFN5，这种封装具有较小的体积和良好的散热性能，适合于对空间要求较高的电子设备。
工作温度范围：在 -55°C 至 175°C 之间，较宽的工作温度范围使其能够适应各种不同的工作环境，包括较为恶劣的高温或低温环境。
环保及合规性：符合 RoHS 等环保标准，满足现代电子产品对环保材料的要求。
NTMFS5C410NLT1G产品优势：
低导通电阻
高电流承载能力
快速开关速度
高输入阻抗
易于并联使用
电压控制特性
良好的热稳定性
紧凑的封装
可应用于数据网络、电信、服务器、直流电机驱动、高性能 DC-DC 转换器、二次同步整流等对功率要求较高、对空间和效率有较高要求的领域。
有需要的宝宝可以找我申样，深力科电子 Mobile：13723773226
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