HC025N10L采用先进的沟槽技术提供RDS(ON),低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适用于用作电池保护或用于其他开关应用。
技术特点:采用沟槽技术,具有良好的 RDS(ON)性能,低栅极电荷,只需 4.5V 的栅极电压即可操作,能有效降低功耗,提高晶体管的性能和稳定性。同时,它还具备低导通损耗和低温升的特点。
主要参数:漏源电压(Vdss)为 100V,漏极电流 (Id) 可达 45A,开启电压低至 1.2V。
封装形式:常用封装有 DFN3333、SOT89 - 3、SOT23 - 3、SOP - 8、TO - 252、TO - 220 等。其中,采用 TO - 252 封装较为常见。
应用领域:广泛应用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪、榨汁机、暖奶器、脱毛仪等小家电领域,也可用于车灯、舞台灯、灯带调光等 LED 照明领域,以及电弧打火机、手机无线充、太阳能电源等场景。

惠海半导体MOS管包含20V 30V 40V 60V 100V 150V 200V 250V的不同电压值的PDFN3*3、PDFN5*6、TO-252、SOP-8、SOT23、SOT89-3、TO-220的全系列NMOS和PMOS HC025N10L.jpg