N沟道增强型MOSFET TDM3436
描述
TDM3436采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。
这个器件适合用作负载开关或PWM应用。
一般特征
RDS（ON）<4.1mΩ@ VGS = 4.5V
RDS（ON）<3.1mΩ@ VGS = 10V
高功率和电流处理能力
提供无铅产品
表面贴装封装
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
如有需求可咨询了解
QQ:2665115580