Nand Flash工作原理
1、FLASH芯片分为Nor Flash和Nand Flash，Nor Flash容量小有独立的地址线，用于存储较小的程序代码如引导代码和程序参数，NAND FLASH容量大地址总线共用一组引线，Nand Flash用来安装操作系统存放应用程序及用户数据 像IOS,Linux Andriod


2、信号定义：
IO0-IO7：地址，命令，数据和复用引脚，用于输入地址命令 输入输出数据
RE#：读使能信号，在读取数据之前应该先使此信号为低电平，同时表示即将出
现在IO0-IO7上的信号为读出数据。
WE#：写使能，在向闪存写数据之前应该先使此信号为低电平，同时表示即将出现在IO0-IO7上的信号为写入闪存数据。
WP#：写保护 ，低电平时不能写入数据。
CE#：片选信号，在进行任何操作之前应该先使此信号为低电平，表示即将对该芯片进行操作，如何此信号为高电平则所有操作对芯片无效，与此芯片无关。
CE1#-CE#4：表示可以连接1-4个芯片。
R/B#：就绪/忙信号，低电平有效，低电平表示芯片内部正在执行操作，高电平表示操作完成。
R/B1#-R/B4#:与CE1#-CE#4对应
CLE：命令锁存信号。输入命令之前应该先使能此信号，使其为高电平，同时表示即将出现在D0-D7上的信号是操作指令。
ALE：地址锁存信号，输入地址之前应该先使能此信号，使其为高电平，同时表示即将出现在D0-D7上的信号是信号地址。
ZQS：双向数据同步信号。用于在读写数据时与数据保持同步。
ZQ：校准信号，可以使信号输出，数据输出更加稳定，外接240欧姆电阻。
3、工作原理：
CPU通过内置的闪存控制器的输入输出PIN与Flash相连，并通过Flash控制器控制这些引脚信号完成对闪存芯片的地址命令数据的输入输出。
FLASH控制器通过驱动程序控制不同PIN信号来协调控制和按序配合。
FLASH工作流程：将地址送到D0-D7再将读写指令送到D0-D7就可以从D0-D7读出或者写数据，D0-D7分时复用功能就是这样。
工作过程：
发地址到Flash时Flash控制器先将CE为低电平选中此芯片然后CLE为低电平告诉Flash这不是命令数据，使ALE为高电平告诉Flash即将发到D0-D7的数据线上的是地址，然后WE为低电平，即将地址发送给Flash了。
本文转自： EDA联盟网