化合物半导体需求日殷，惟碳化硅基板量产难度高，全球寡占且供不应求，台厂联盟成军后，迫切需要打开的两大任督二脉为何？

从５Ｇ通讯到车用，两边客户都很积极，也都逼得很凶，市场需求已经都在这边」，中美晶董事长徐秀兰在取得宏捷科私募股权记者会中直言，这是整个集团近期在第三代化合物半导体布局火力全开的主因，其背后凸显的，亦是台系硅基半导体厂，未来五到十年不容错过的布局大计。

徐秀兰口中的客户，正是大家都想得到的国际大厂，据了解，包括今年二月携手台积电合作开发氮化镓元件的意法半导体，到传出包下汉磊集团氮化镓磊晶产能的英飞凌，都是推动中美晶集团必须在化合物半导体市场加速前进的重点客户。

催生碳化硅第二供应商

「客户非常高度期待跟鼓励有SecondSource出现，因为市场太过寡占」，环球晶发言人陈伟文口中的寡占厂，正是全球碳化硅基板市占超过六成的。

徐秀兰说，化合物半导体后段制程的成熟度很高，但前段制程的二大困难，一个是贵、一个是少，SiC基板的供应量不足，市场因而寻求包括QST基板或SOI基板的替代可能性。


但在各类的基板中，SiC基板发展出来的半导体元件，能耐高温、高压外，还具有电阻小、电流大与低耗电等特性，在电动车及需要高频传输的５Ｇ、甚至是６Ｇ基地台，SiC基板的导入还是最被期待的。


但像SiC这么重要的技术，「全球真正在做的只有二家，真的做得好的也只有Cree一家」，宏捷科董事长祁幼铭不讳言地说，化合物功率元件半导体市场要起飞，就是基板跟磊晶要齐全。

瓶颈在基板，但从碳化硅的材料特性及长晶制程技术来看，短期也是急不得。由于碳化硅材料的硬度极高，一般需要在二千度以上、甚至是高达2600度的高温下才能生产，相较于硅晶的生长环境只要在1500度，碳化硅长晶的难度就高出不少。

来源：联合新闻网