DL0521P0 ESD保护二极管具有低RDYN动态电阻和低钳位电压。DL0521P0的额定ESD冲击消散值超过IEC 61000-4-2国际标准中规定的水平（4级）。低动态电阻 可确保为瞬态事件提供系统级保护。该器件电容为0.32pF IO，因此非常适合用于保护USB 2.0等接口。DL0521P0可在高达±5.5V的电压下工作，具有超低漏电流。
特性· 稳定可靠的IEC 61000-4-2 4级ESD保护
o ±20kV接触放电
o ±20kV气隙放电
· IEC 61000-4-5浪涌保护
o 5A (8/20µs)
o 1.0AIPP (8/20µs) 时，具有12V的低Vclamp
· IEC 61000-4-4 EFT保护
o 40A (5/50ns)
· 双向ESD二极管，可在高达± 5.5V的电压下保护接口
· IO电容：0.32pF（典型值）
· 高直流击穿电压：6.5V（典型值）
· 超低漏电流：30pA（典型值）
· 工业温度范围：-40°C至+125°C
· 行业标准的0603封装
应用· 终端设备
o 可穿戴设备
o 笔记本电脑和台式机
o 移动电话和平板电脑
o 机顶盒
o DVR和NVR
o 电视和显示器
· 接口
o 1Gbps以太网
o USB 2.0/1.1（5.5V容差）
o GPIO
o 按钮/键盘
o 音频
13775299578邢思前
生产瞬态抑制二极管阵列 TVS ESD Array
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