东莞市惠海半导体

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100V mos 电弧打火机用 小体积MOS管 HG021N10L 100V25A 低开启 TO252贴片25N10低Vth

100V mos 电弧打火机用 小体积MOS管 HG021N10L 100V25A 低开启 TO252贴片25N10低Vth
场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中,和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于:首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路;某次场效应管的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应;另外场效应管没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低,还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应管已经得到了大量应用,在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。

惠海半导体MOS管采用SGT工艺,性能优越,品质好,具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。
【免费提供方案及技术支持,免费提供样品测试~】

MOS管型号:HG021N10L-A
参数:100V25A(25N10)
内阻:25mR(VGS=10V)
结电容:839pF
类型:SGT工艺NMOS
开启电压:1.4V
封装:TO-252

HG021N10L-A.jpg
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