一、N－MOS管和P－MOS管的对比
二、N－MOS的开关条件
N－MOS管的导通调节是G极与S极中间的电压差超过阈值时，D极和S极导通。
在实际的使用中，将控制信号接到G极，S极接在GND，从而达到控制N－MOS管的开和关的效果，在D极和S极导通后，导通电阻Rds（on）极小，一般是几十毫欧级，电流流通后，形成的压降很小。
三、N－MOS的应用
3．1 防止电源接反的保护电路
下面就是一个应用这个特性做的一个防止电源接反的保护电路，这样应用要比使用二极管好很多，如果直接使用二极管，会有约0．7V的压降。
仿真电路如下：
N－MOS管作为防止电路反接方案中，VCC＝5V的电源加在10K阻性负载上，电压表、电流表分别测量，记录值是5V、500uA；切换Key开关，模拟电源反接时，测得记录值是－49．554mV、－4．955uA。
3．2 电平转换电路
Sig1，Sig2为两个信号端，VDD和VCC分别是3．3V和5．0V电平信号的高电压。
另外限制条件为：
1，VDD ＜＝ VCC
2，Sig1的低电平门限大于0．7V左右（视NMOS内的二极管压降而定）．
3，Vgs ＜＝ VDD
4，Vds ＜＝ VCC
以下截图是在Multisim中仿真效果，利用开关提供信号。
四、P－MOS开关条件
P－MOS管的导通调节是G极与S极中间的电压差低于阈值时，S极和D极导通。
在实际的使用中，将控制信号接到G极，S极接在VCC，从而达到控制P－MOS管的开和关的效果，在S极和D极导通后，导通电阻Rds（on）极小，一般是几十毫欧级，电流流通后，形成的压降很小。
五、P－MOS的应用
5．1 电源通断控制
P－MOS管的通断控制，其实就是控制其Vgs的电压，从而达到控制电源的目的。
Key开关闭合前，P－MOS管输出电压0．0164V，闭合后，P－MOS管输出电压5V。
但在实际电路中，一般都用MCU的GPIO代替Key开关来控制，同时MCU高电平时3．3V，因此GPIO输出控制信号时需要使用三极管，在这里三极管的选择也有区别。
有时候我们想要一个GPIO控制几个信号时，这就考虑到电平匹配的问题。
5．2 高电平控制电源导通，用一个NPN三极管
5．3 低电平控制电源导通，用一组PNP＋NPN三极管
后记：Multism软件对于知识点的辅助学习还是非常有作用的。
（By:小小毛）
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