假设三极管工作于图（a）的偏置状态，经过仿真我们可以得到如下波形：

从波形中可以看出，三极管的输出波形包括DC部分和交流小信号部分。同样我们可以得出其他端子也是如此，因此我们得到：

举个例子，一个三极管基极加了一个正向偏置电压Vbias以及1kHz的交流信号Vsig，峰值为1mV。调节基极驱动信号（0.7V左右）使三极管集电极电流为5mA。此时三极管的工作区域以及输出电流波形如下:

由上述理论我们可以得出：

进一步推导，我们可以得出交流小信号输出电流为：

gm就是三极管的等效跨导。

接下来我们推导基极驱动电流Ib，由三极管基本模型我们知道，集电极电流的任何微小变化同样意味着基极驱动电流的比例变化：

这里hfe就是三极管小信号电流增益，这里要注意，小信号电流增益和DC直流增益是不同的定义。

因此我们可以总结出三极管低频下的等效电路模型：

这也就是所谓的“hybrid-pi”模型，其中：

上一节重点介绍了三极管的低频等效模型-“hybrid-pi”模型，低频等效模型其实并不完善，因为这一模型没有任何带宽的限制，只适用于低频运行下的近似分析。这一节我们将进一步考虑给三极管带来带宽限值的寄生参数，从而对hybrid-pi低频等效模型进行完善。

我们知道任何的PN结都会存在结电容，因此我们可以预见到三极管的base-emitter和base-collector都存在着结电容，这些结电容会随着PN结之间的电压而变化。

另外由前面章节我们知道三极管base-emitter之间存储的电荷会随着Vbe之间的偏置电压的变化而变化，Vbe增加，Base存储的电荷就会增多，base-emitter之间存储电荷的变化可以等效成结电容的变化。

因此我们得到三极管的高频等效模型如下：

Cje: Base-emitter之间的耗尽型电容

Cb: Base极扩散电容

Cjc: Base-collector之间的耗尽型电容

那么我们怎样从规格书中得到CΠ和Cμ那？Cμ相对简单，它就是base-collector之间的结电容。我们先要知道base-collector之间的结电压，然后根据结电容与结电压之间的曲线决定出Cμ。

CΠ相对复杂，我们需要间接得到CΠ。一般来说，三极管的规格书中会给出电流增益-带宽曲线图，从此图中我们能够得出电流增益为1的频率点ωT。

进一步由三极管高频等效模型推导电流增益-带宽 fT。