SLM2103S是一款高压高速电源，600V半桥驱动器MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。
专有HVIC和锁存免疫CMOS，技术使加固单片，建设逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出，低至3.3 V，思维方式输出驱动器具有高脉冲电流，缓冲级设计用于减少驾驶员交叉传导。浮动通道可用于在驱动器中驱动N沟道功率MOSFET或IGBT高压侧配置，工作电压高达600 V。
产品概要
最大电压偏移600 V。
IO+/-130 mA/270 mA
电压为10伏-20伏
吨/关（典型值）680纳秒/150纳秒
死区时间（典型值）520纳秒
一般说明
特征
为引导设计的浮动通道
在+600 V电压下完全运行
耐受负瞬态电压，dV/dt
有免疫力
栅极驱动电源范围为10 V至20 V
欠压锁定
3.3伏、5伏和15伏逻辑兼容
交叉传导预防逻辑
两个信道的匹配传播延迟
内部设定死区时间
与HIN输入同相的高压侧输出
低压侧输出与电源不同步输入
符合RoHS标准
SOIC-8封装
公司代理数明全系列产品，有需要请发Sanlik企业qq：3008969588或VX:18927417562 询价，联系人：郑S
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