本帖最后由 Eways-SIC 于 2024-10-8 11:09 编辑

SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于 SiC 功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、不间断电源 (UPS) 和电动汽车）中优化性能。但是，由于高电压转换速率 (dv/dt) 和电流转换速率 (di/dt) 是 SiC 功率器件的固有特性，使其与硅基电路相比，这些电路对串扰、误导通、寄生谐振和电磁干扰 (EMI) 更为敏感。将功率 MOSFET 并联时，设计人员必须更密切地注意如何最大限度降低这些影响，因为器件之间的电流分配不均会影响性能。例如，在开关瞬变过程中，在并联中增加一个器件会使 di/dt 倍增，从而可能导致更大的电压过冲。此外，任何寄生电感都可能产生与反馈机制耦合的谐振，从而只会使电流不平衡的情况变得更糟。在这种情况下，PCB 设计人员必须特别注意要降低寄生电感。 ASR160N1200D88 -PDF.pdf (694.86 KB, 下载次数: 1)