特性：
1.屏蔽栅MOSFET技术
2.VGS = 10 V，ID = 4.6 A时，最大RDS(on) = 51 mΩ
3.VGS = 6 V，ID = 3.9 A时，最大RDS(on) = 70 mΩ
4.先进的封装和硅技术完美融合，实现了低RDS(on)和高效率
5.MSL1耐用封装设计
6.100%经过UIL测试
7.符合RoHS标准
常备现货，近期到货有限，有需要的可以联系。
长期供应，欢迎咨询！有需要的宝宝可以找我申样， Mobile：13723773226
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电源技术中的onsemi安森美推出FDMS86252 16A150V51mΩ N沟道屏蔽门极MOSFET管
电源技术中的onsemi安森美推出一款可以应用于太阳能，互联照明，车载充电器，新能源汽车，便携式医疗设备等多种领域的N沟道屏蔽门极MOSFET管。
特性：
1.屏蔽栅MOSFET技术
2.VGS = 10 V，ID = 4.6 A时，最大RDS(on) = 51 mΩ
3.VGS = 6 V，ID = 3.9 A时，最大RDS(on) = 70 mΩ
4.先进的封装和硅技术完美融合，实现了低RDS(on)和高效率
5.MSL1耐用封装设计
6.100%经过UIL测试
7.符合RoHS标准
特性：
1.屏蔽栅MOSFET技术
2.VGS = 10 V，ID = 4.6 A时，最大RDS(on) = 51 mΩ
3.VGS = 6 V，ID = 3.9 A时，最大RDS(on) = 70 mΩ
4.先进的封装和硅技术完美融合，实现了低RDS(on)和高效率
5.MSL1耐用封装设计
6.100%经过UIL测试
7.符合RoHS标准
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