FCH072N60F N沟道功率MOSFET 光伏新能源解决方案，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
特性：
1.650 V @ TJ = 150°C
2. 典型值 RDS(on) = 65 mΩ
3. 超低栅极电荷 （典型值 Qg = 165 nC)
4.低有效输出电容 （典型值 Coss(eff.)= 441 pF)
5.100% 经过雪崩测试
6.符合 RoHS 标准
应用领域：
车载充电器
电动汽车
互联照明
太阳能逆变器
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