IRFP7718PBF 功率MOSFET系列针对低RDS（导通）和高电流能力进行了优化。非常适合需要性能和坚固性的低频应用。广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。
N 沟道 MOSFET 通过电子形成电流沟道。因此在 MOSFET 被激活和导通时，电子即可通过电流轻松快速地移动。出于 N 沟道 MOSFET 的特殊性，在相同的 RDS(on) 值下，其载流子的迁移率约为 P 沟道器件的 2 到 3 倍，而 P 沟道芯片尺寸则必须为 N 沟道芯片的 2 到 3 倍。因此，大电流应用通常首选 MOSFET 晶体管 N 沟道器件。
英飞凌N沟道 功率MOSFET旨在提高效率、功率密度和成本效益。专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色，适用于各类工业及汽车应用。
优势：
分销合作伙伴的广泛可用性
行业标准资质等级
标准引脚可直接更换
高载流能力
应用领域：
有刷电机驱动应用
无刷直流电机驱动应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器应用
谐振模式电源
OR ing和冗余电源开关
DC/DC和AC/DC转换器
直流/交流逆变器
适用于消费品、工业和汽车应用，如照明、电视、音频、服务器/电信、太阳能、电动车充电、DC-DC 转换器、车载充电器等。
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