一、三重保护模型:

forum.jpg

陶瓷气体放电管选型要点:

1)直流击穿电压要高于线路的正常工作电压,并留有一定的余量。

2)GDT的通流量应根据防雷电路的设计指标来定,GDT通流量需大于防雷电路设计的通流容量。

半导体放电管选型要点:

1)信号接口的电平要低于Vs,并留有一定的余量;

2)根据要过浪涌的等级来选择不同通流量的TSS;

3)电路的正常工作电流不能高于TSS的保持电流;

TVS二极管选型要点:

1)TVS管的反向击穿电压要高于电路的正常工作电压,并留有一定的裕量;

2)根据不同的应用接口选择使用双向还是单向的TVS;

3)TVS的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压;

4)根据要过的浪涌等级来选择不同功率的TVS;

5)高频信号电路中,应选低结电容的TVS管;

ESD静电保护器件选型要点:

1.计算接口信号幅值的范围来确定ESD器件的工作电压;

2.根据信号类型决定使用单向或者双向ESD器件;

3.根据信号速率决定该接口能承受的最大寄生电容;

4.根据电路系统的最大承受电压冲击,选择适合的钳位电压;

5.确保ESD器件可达到或超过IEC 61000-4-2 level4。

forum.jpg

forum.jpg

forum.jpg

forum.jpg

forum.jpg


二、限压特性选择

forum.jpg

截止电压 ≥ 正常工作最大电压 (保证器件不会在正常工作时损坏)
最大箝位电压 ≤ 系统最大耐压 (器件在脉冲状态时可有效的保证后级不会损坏)
功率/最大箝位电压 ≤ 外界干扰所产生的最大脉冲电流 (器件自身不会被脉冲损坏)

击穿电压下限 ≥ 正常工作最大电压(保证器件不会在正常工作时损坏)
脉冲击穿电压 ≤ 系统最大耐压 (器件在脉冲状态时可有效的保证后级不会损坏)
通流量 ≤ 外界干扰所产生的最大脉冲电流(器件自身不会被脉冲损坏)

forum.jpg

forum.jpg

forum.jpg