结构和符号：
工作原理：
（1） UDS=0时（栅源电压UGS对导电沟道的控制作用）
（2） UGS固定时，UDS对漏极电流的影响
特性曲线：
特性曲线：
2、绝缘栅型场效应管
N沟道增强型MOS管：
结构和符号：
工作原理：
UDS对ID的控制：
特性曲线：
电流方程：
N沟道耗尽型MOS管：
结构和符号：
特性曲线：
场效应管的主要参数：
饱和漏极电流IDSS：耗尽型场效应管，当UGS=0时所对应的漏极电流。
夹断电压UGS(off)：耗尽型FET的参数。
开启电压UGS(th)： 增强型MOS管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值， 场效应管不能导通。
直流输入电阻RGS： 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应管，RGS约是109～1015Ω。
交流参数：
极限参数：
场效应管的使用注意事项：
1）电源极性按规定接入，注意不能超过极限参数的规定数值。
2）严格按照要求的偏置连接电路。对JFET要注意栅源电压极性不要接反，以免PN结正偏过流而烧坏管子。
3）MOSFET管的衬底和源极常连在一起，若需分开，则衬源电压使衬源的PN结反偏。
4）对于MOSFET要特别注意栅极感应电压过高所造成的击穿问题。
5）使用MOSFET时，相关设备和人员应保证良好的接地。
2、 场效应管放大电路的偏置和静态分析
固定偏压：
自给偏压：
分压式自偏压：
3、场效应管放大电路的组态
场效应管微变等效模型 ：
场效应管高频模型：
共源放大电路：
共漏放大电路：
场效应管放大电路与三极管放大电路的比较：
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