业界领先的3.3 kV碳化硅（SiC）功率器件，实现更高的效率与可靠性.
3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择。牵引功率单元（TPU）、辅助动力装置（APU）、固态变压器（SST）、工业电机驱动和能源基础设施解决方案的系统设计人员需要借助高压开关技术来提高效率和可靠性，并减小系统尺寸和重量。 image.png image.png image.png image.png
产品特性：
1. 第三代 SiC MOSFET 技术
2. 推荐 +18V/-3 -5 V 栅压驱动
3. 高阻塞电压与低RDS（打开）
4. 高速、寄生电容小
5. 175℃工作结温
6. 低速高速切换电容
7.开尔文源TO-247-4L
SiC MOSFET作为第三代功率半导体器件，以其阻断电压高、工作频率高，耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点成为当前最具市场前景的半导体产品之一，正广泛应用于新能源汽车，光伏逆变器，储能电源，轨道交通、牵引变频器，航空航天，大功率特种电源等领域。 ASC20N3300MT4 (2).pdf (1.6 MB, 下载次数: 0)
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