事情是群友发了一个网上看到的锂电池检测电路图，然后认为设计的不合理，电路图如下：
这个电路设计的原本用意是：单片机（3.3V系统）控制NMOS导通关断，在ADC采集电压时导通，在ADC不采集电压时关断，从而节省掉分压电阻上的电流，从而达到节省功耗的目的。
群友们讨论的很激烈，有个群友总结了一下，总结的很到位。
在群友的分析下，这个电路的缺陷在于：
由于3.7V锂电池充满电为4.2V，假设单片机输出3.3V控制NMOS导通，则NMOS的栅极电压为3.3V，此时Vgs等于3.3V-0V＝3.3V，然后NMOS导通，然后R12和R16对锂电池分压，分压后，NMOS的源极电压由于电阻分压的关系变成了2.1V，那么此时Vgs等于3.3V-2.1V等于1.2V。然后再看AO3400的数据手册，Vgs（th）是个0.7V~1.4V的范围值。
那么此时就有两种情况，
1.假设0.7<Vgs（th）<1.2V，那么NMOS可以正常维持导通条件，可以正常测量电池电压。
2.假设1.2V≤Vgs（th）≤1.4V，那么NMOS将不满足导通条件。（可能落入恒流区或者截止区，Vds压降变大）。
分析结论：这个电路设计是不合理的。如果这个电路这么设计，由于NMOS的导通阈值电压，第二种情况下（1.2V≤Vgs（th）≤1.4V）会电池电量检测部分异常。
改良
然后有的群友针对分压后源极电压会抬高的问题提出了改良措辞，直接将源极接地，然后这样单片机就可以稳定的控制NMOS了，画了下面这个电路图：
然后又有个群友对这个改良后的电路图提出了一下质疑，主要质疑点为：
- 这个电路的阻抗问题。
- ADC端口的耐压问题。
群友也是对这两个问题作出解释，阻抗≈200k//200k≈100k，电池电压的采样速度没有很高的要求，所以没什么问题；然后针对耐压可以换为PMOS：
所以针对单片机IO口的耐压问题，电路更改为：
然后群友又提出了使用NMOS的改善方法，即在原来电路的基础上更改分压电阻。
两种改良措施：
- 更换为PMOS驱动控制。
- 仍使用NMOS，但更改分压电阻。（NMOS便宜）
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