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发表于 2024-7-6 10:59:30
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各位大佬,我准备对板子的输入做一个开关,但是这个电路在超过130V会出现Q2自动打开的情况,请问一下会是什么原因
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丙丁先生
发表于2024-7-9 09:17:21
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沙发
根据您的描述,当电压超过130V时,Q2自动打开。这可能是由于以下原因之一:
1. 电路设计问题:可能是电路设计中的某个元件或连接存在问题,导致在高电压下出现异常行为。您可以检查电路图和实际电路之间的差异,确保所有元件和连接都正确无误。
2. 元件损坏:可能是Q2或其他相关元件在高电压下发生损坏,导致其无法正常工作。您可以检查这些元件是否有明显的损坏迹象,如烧焦、裂纹或变形等。如果有损坏的元件,需要更换它们以解决问题。
3. 外部干扰:可能是外部电磁干扰或其他干扰源影响了电路的正常工作。您可以检查电路周围是否存在强磁场、高频信号源或其他可能引起干扰的设备,并采取相应的屏蔽措施来减少干扰。
4. 电源问题:可能是电源供应不稳定或电压过高导致的问题。您可以检查电源的稳定性和电压范围,确保其符合电路的要求。如果电源存在问题,可能需要使用稳压器或其他电源调节设备来提供稳定的电源。
综上所述,要解决这个问题,您需要仔细检查电路设计、元件状态、外部干扰和电源问题,并进行相应的调整和修复。如果您对电路设计和电子原理不熟悉,建议咨询专业的电子工程师或技术人员的帮助。
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丙丁先生
发表于2024-7-9 09:21:48
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板凳
栅源之间电阻:
考虑在栅源之间并联一个电阻,以降低栅极电压,帮助MOS管关断。
源极拉低:
如果是上下管结构,确保上管关断后,下管能够导通一次,将上管源极拉低,以避免电容无法充电,导致上管无法再次导通。
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eyesee00
发表于2024-7-11 14:42:49
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地板
那说明当超过130V,DS之间已经形成了导电沟道。
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LEE_SKY
发表于2024-7-14 13:24:44
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#
可能原因是:与你选择的Q2参数相关,如果cres大,且输入电压给定时变化比较快,可能会导致Q2门机超过阈值电压出发开通。
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luck_gfb
发表于2024-7-19 11:53:58
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栅源之间增加一个4.7K的电阻试试,可能是MOS的反射电容与输入电容分压造成MOS微导通,增加电阻后可防止MOS误导通。
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qiuming_yang_527658351
发表于2024-7-29 15:25:19
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#
不能关断,应该是C3影响,去掉C3应该就可以了。
另外,按电路R2和R3的分压,高于130V会到Q2的VGS极限,引起Q2异常,需要注意。
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tmwckora
发表于2024-7-31 09:16:34
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#
這種高壓HIGH-SIDE開關, 建議還是用隔離開關切換較不會出問題, TI, ONSEMI都有
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我的果果超可爱
发表于2024-8-1 13:16:53
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130v超过耐压了吧。
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zhoupxa
发表于2024-8-2 16:13:40
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#
把R6接到Q2栅极对地试试,如果还容易导通可以适当减小R6阻值。
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wuliangu
发表于2024-8-2 23:17:33
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#
电阻R3的值太大了
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飞过海
发表于2024-8-13 11:13:01
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#
电容去掉,电阻同比例减小
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yanggo
发表于2024-8-15 16:30:58
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13
#
监控下Q2的G极电压,是不是在130V时异常了?正常情况下Q2的G极低电平时,Q2是关闭状态。虽然Q2的规格书是150V耐压,会不会是耐压偏差造成Q2漏电击穿?另外,Q1的G极电压,在VIN达到130V后,并且Q2开启后,那么Q1的VGS电压就会超过-20V,超过规格书手册了。最好用个稳压二极管钳位吧。
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eyesee00
发表于2024-8-22 18:15:58
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#
无法释放电子才会导致这个现象
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tmwckora
发表于2024-8-30 11:20:43
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#
Q2可改為耐150V的NPN BJT
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