下面将介绍一种简单的余电快速泄放电路的实现方式及其原理。

电路组成

一个基本的余电快速泄放电路通常由以下几部分组成：

大容量电容：这是负载电路中的原始电容，需要快速放电。

泄放电阻：这是一个低阻值（但需要考虑功耗）的电阻，用于在电源断开后提供电容的放电路径。

可选的开关元件（MOSFET或二极管）：在设计中，可能会使用一个可控开关元件来控制泄放电阻的接入，以便在需要时快速启动放电过程，而在正常工作时则断开，以减少不必要的功耗。

简单泄放电路

对于简单的应用，可以直接将泄放电阻并联在电容的两端。这样，当电源断开时，电容会通过放电。电阻的阻值选择需要权衡放电速度和功耗：阻值越小，放电速度越快，但功耗也越大；阻值越大，功耗越小，但放电速度会减慢。

为了提高效率，可以使用一个开关元件（P-Channel MOSFET）来控制泄放电阻的接入。当电源关闭时，通过控制信号（可能是通过另一个微控制器或简单的延时电路触发）使MOSFET导通，从而接入泄放电阻，开始快速放电。当电容电压降低到安全水平后，再关闭MOSFET，断开泄放电阻，以减少功耗。

电路举例：

此时三极管Q1的b极电压为5V，e极电压为4.7V，Q1不导通。

开关SW1断开后，三极管Q1的e极电压从4.7V开始下降，b极电压从4V开始下降，Vbe = -0.7V，将Q1打开，大电容C1的电压4.7V-Out通过三极管Q1、电阻R2快速泄放到地。

VCC供电时：

二极管D1导通：由于二极管D1的正向导通特性，当VCC施加电压时，D1会允许电流从VCC流向负载（通过RLoad）。

三极管Q12截止：此时，三极管Q12的基极没有接收到足够的电压或电流来使其导通，因此它处于截止状态，不参与VCC到负载的电流路径。

能量消耗：电阻R39（尽管在您的描述中未直接说明R39在VCC供电时的具体作用，但通常它可能与D1并联或用于其他目的）和二极管D1都会消耗一定的能量。二极管D1的压降（通常是0.2V至0.7V）和R39的电阻值（如果它确实在电流路径中）都会导致能量损失。

VCC断电时：

二极管D1截止：当VCC断电时，二极管D1不再导通，切断了VCC到负载的电流路径。

三极管Q12导通：在设计中，当VCC断电时，可能有一个电路（反相器或延时电路）使三极管Q12的基极接收到足够的电压或电流来使其导通。这样，电容C18上储存的电荷就可以通过三极管Q12和电阻R38释放，为某些电路提供短暂的电力或进行平滑处理。

电容C18放电：电容C18在VCC供电期间会充电，当VCC断电时，它通过三极管Q12和R38放电。这个过程可以用于保护电路免受突然断电的影响，或者为某些需要逐渐关闭的电路提供时间。

VCC供电时：

二极管D2导通，允许VCC为储能电容C19充电。此时，C19储存电能以备VCC断电时使用。

三极管Q13和Q14的基极电压不足以使它们导通（因为VCC直接通过D2为负载供电，且Q13和Q14的基极电压被下拉电阻R41拉低），所以它们处于截止状态。

VCC直接为负载RLoad供电，同时C19也在充电。

VCC断电时：

二极管D2截止，因为VCC不再提供电压。

储能电容C19开始为负载RLoad供电，但由于负载的消耗，C19上的电压逐渐下降。

当C19上的电压下降到大约VCC-Vd-Vbe（其中Vd是二极管D2的正向导通压降，Vbe是三极管Q13的基极-发射极电压）时，三极管Q13的基极电压足够高，使其进入导通状态。

Q13导通后，通过电阻R42为Q14的基极提供电流，使Q14也导通。

Q14导通后，负载电容C21（假设这是指与负载相关的某个电容，虽然原文中未明确提及）上的电荷通过Q14和放电电阻R43快速释放，实现快速放电。