氮化镓（GaN）功率器件因具有优于传统的基于硅的功率器件的许多优点，正在从实验室进入商业市场。例如，氮化镓器件的低损耗特性，可以提高效率并支持高频开关。
氮化镓器件的竞争格局也逐渐演变成一些关键厂商之间的角力，它们的生产稳定增长、从而大大降低了氮化镓器件的成本。同时，高工作频率支持采用更小的散热器和电感，从而降低了整个系统的尺寸。技术优势加上更低成本，加快了氮化镓器件在电源和可再生能源逆变器等领域的应用。
博通公司（Broadcom Limited）的门极驱动光耦已广泛用于驱动基于硅的器件，如IGBT和功率MOSFET。光耦用于在功率器件的高电压和控制电路之间提供加强的电隔离。其抑制高共模噪声（CMR）的能力还可防止在高频开关期间对功率器件的错误驱动。该网络研讨会将讨论如何使用新一代门极驱动光耦ACPL-P346和ACPL-352J来保护和驱动氮化镓器件
演讲专家
郑俊强 - 隔离产品部的营销经理
简介：郑俊强是博通公司隔离产品部的营销经理。2006年, 他加入博通为隔离产品的应用工程师。他现在是全球门极驱动光电耦合器的产品经理，并参与新产品的开发和市场拓展。郑俊强持有新加坡南洋理工大学电机工程学士学位。
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凡参与研讨会并完整填写调查问卷的用户均有机会获得由博通公司提供的Fitbit Surge 智能乐活手环
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