一般说明

这些n通道增强模式的功率场效应晶体管是用Fairchild的专有技术生产的，平面条纹，DMOS技术。这种先进的技术特别适合最小化导通电阻，提供优越的开关性能，并能承受雪崩和换相模式。这些设备很好适用于低压应用，如汽车、高压dc/dc变换器和直流电动机的效率切换控制。


特征

70A，80V，rds（开）=0.017Ω@VGS=10 V低栅极充电（典型75 NC）低CRS（典型180 pF）快速切换100%雪崩测试提高了dv/dt能力

175°C最大结温额定值



笔记：

1.重复额定值：最大结温限制脉冲宽度

2.L=0.32mH，IAS=70A，VDD=25V，RG=25Ω，启动TJ=25°C

3.ISD≤70A，di/dt≤300A/微秒，VDD≤BVDSS，启动TJ=25°C

4.脉冲试验：脉冲宽度≤300微秒，占空比≤2%

5.与工作温度基本无关体二极管正向电压变化与源电流和温度



免责声明

飞兆半导体保留更改的权利，恕不另行通知用于提高可靠性、功能或设计的产品。Fairchild不认为因应用或使用本文所述的任何产品或电路而产生的责任；它既不转让其专利权下的任何许可，也不转让他人的权利。



生活保障政策

Fairchild的产品未经授权用作生命支持的关键组件未经飞兆半导体明确书面批准的设备或系统国际生命支持设备或系统是指设备或系统（a）用于外科植入体内，或（b）支持或维持生命，或（c）未能履行按照使用说明正确使用时在标签中提供，可以合理预期对使用者造成重大伤害。关键部件是生命支持的任何部件无法执行的设备或系统合理预期会导致生命支持失效装置或系统，或影响其安全性或有效性。


笔记：

1.重复额定值：最大结温限制脉冲宽度

2.L=0.32mH，IAS=70A，VDD=25V，RG=25Ω，启动TJ=25°C

3.ISD≤70A，di/dt≤300A/微秒，VDD≤BVDSS，启动TJ=25°C

4.脉冲试验：脉冲宽度≤300微秒，占空比≤2%

5.与工作温度基本无关