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大神帮忙分析下这个器件损坏的可能...
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大神帮忙分析下这个器件损坏的可能原因?
用户1625522
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113209
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发表于 2020-3-23 08:46:50
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这是一个PWM调速模块,使用过程中D4(STPS15H100C)短路,IRF150N的DS也短路,可能是什么原因?如何改善?电机电流15A以内
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Franco_xing
发表于2020-3-23 15:05:47
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反向电压击穿。用示波器看一下电压波形。
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fuluoerde
发表于2020-3-23 15:42:17
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板凳
是不是NMOS导通后D极电位低产生的反向击穿?在D极加个电阻?
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光之魂
发表于2020-3-23 16:33:51
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地板
D4(STPS15H100C)的Ifmax=15A,电机电流15A以内,但启动瞬间电流可能会大于15A,同时PWM调速相当于电机频繁启动
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法师
发表于2020-3-30 10:38:48
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在D4两端并接一个1000PF的电容.或者在D4上串接一个大功功率电阻
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Qeecoda
发表于2020-4-9 19:30:25
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#
估计是D4先烧毁,随后场效应管高压击穿。
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eyesee00
发表于2020-4-20 15:05:12
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把二极管去掉
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Qeecoda
发表于2020-4-23 18:40:17
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8
#
C3的容量不能过大,否则Q1在高开关频率下工作会发热烧毁。
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yeryu2010_905062413
发表于2020-4-24 16:31:44
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#
你的电路有问题。
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yeryu2010_905062413
发表于2020-4-24 16:32:08
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你的电路有问题
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yeryu2010_905062413
发表于2020-4-24 16:56:06
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#
1、D4烧毁的原因是Q1关闭的时候,电机线圈两端会产生一个方向电压加在D4上。改善的方法是在D4串联一个大功率电阻,或者更换导通电流能力更大的二极管。
2、Q1烧毁的原因可能有两个,一个是Q1关闭时,电机线圈两端产生一个反向电压VM,此时加在Q1的电压是VCC+VM,该电压超过Q1的耐受电压,可以测量Q1的D极电压波形,从而确定是否需要更换更大耐压的MOS;另一个可能是Q1的米勒效应导致的,具体什么是米勒效应,这里不再赘述。改善的方法是Q1的栅极控制信号不要使用GPIO直接控制,而是通过推挽电路控制,以消除米勒效应。
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Qeecoda
发表于2020-5-16 15:41:36
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12
#
要尽量缩小R2的取值,否则由于米勒效应导致开通时间变慢,场效应管处在线性区时间变长,发热变大。
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