浮生过尽

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大神帮忙分析下这个器件损坏的可能原因?

2020-3-23 08:46:50 显示全部楼层
这是一个PWM调速模块,使用过程中D4(STPS15H100C)短路,IRF150N的DS也短路,可能是什么原因?如何改善?电机电流15A以内
调速模块.png

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Franco_xing

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Franco_xing 2020-3-23 15:05:47 显示全部楼层
反向电压击穿。用示波器看一下电压波形。

fuluoerde

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fuluoerde 2020-3-23 15:42:17 显示全部楼层
是不是NMOS导通后D极电位低产生的反向击穿?在D极加个电阻?

光之魂

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光之魂 2020-3-23 16:33:51 显示全部楼层
D4(STPS15H100C)的Ifmax=15A,电机电流15A以内,但启动瞬间电流可能会大于15A,同时PWM调速相当于电机频繁启动
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法师

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法师 2020-3-30 10:38:48 显示全部楼层
在D4两端并接一个1000PF的电容.或者在D4上串接一个大功功率电阻

Qeecoda

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Qeecoda 2020-4-9 19:30:25 显示全部楼层
估计是D4先烧毁,随后场效应管高压击穿。

eyesee00

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Qeecoda

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Qeecoda 2020-4-23 18:40:17 显示全部楼层
C3的容量不能过大,否则Q1在高开关频率下工作会发热烧毁。
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yeryu2010_905062413

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yeryu2010_905062413

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yeryu2010_905062413

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1、D4烧毁的原因是Q1关闭的时候,电机线圈两端会产生一个方向电压加在D4上。改善的方法是在D4串联一个大功率电阻,或者更换导通电流能力更大的二极管。
2、Q1烧毁的原因可能有两个,一个是Q1关闭时,电机线圈两端产生一个反向电压VM,此时加在Q1的电压是VCC+VM,该电压超过Q1的耐受电压,可以测量Q1的D极电压波形,从而确定是否需要更换更大耐压的MOS;另一个可能是Q1的米勒效应导致的,具体什么是米勒效应,这里不再赘述。改善的方法是Q1的栅极控制信号不要使用GPIO直接控制,而是通过推挽电路控制,以消除米勒效应。

Qeecoda

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Qeecoda 2020-5-16 15:41:36 显示全部楼层
要尽量缩小R2的取值,否则由于米勒效应导致开通时间变慢,场效应管处在线性区时间变长,发热变大。
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