说起开关电源，可谓电子信息社会不可或缺的电源方式之一：小到手机充电器、LED照明灯、家电，大到电力设备、通信基站、数据中心，几乎所有的电子设备都离不开它。对于电源工程师而言，功率密度、效率和可靠性是定义开关电源性能的3个关键因素。如何一次 “加满”开关电源的技能点呢？2020英飞凌电源与传感系统云端大会，邀你体验一场硬核的开关电源技术公开课！


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高性能开关电源设计诀窍英飞凌是目前市场上唯一一家提供覆盖Si、SiC和GaN等材料的全系列功率产品的公司，英飞凌广博的CoolGaN™、CoolSiC™ 和 CoolMOS™ 等功率半导体产品组合，适用于各类大、小功率的开关电源应用。
想知道Si、SiC和GaN这三类功率器件的相关技术详细信息，以及如何基于器件自身的特性来选择合适的应用拓扑？在确定拓扑之后，如何实现功率密度和效率之前的优化？这些硬核的技术知识统统都有！此外，英飞凌资深专家还将介绍英飞凌对于CoolGaN™ 和CoolSiC™的质量管控理念，从而助力使用者设计高可靠性的开关电源。
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值得一提的是，
GaN HEMT作为大规模商用的“新”产品，仅仅是其技术蓝图的开端
，因为当前的器件性能数值与理论限值还有一个数量级的差距，未来仍有巨大的改进空间。目前，GaN HEMT在小功率、高功率密度的充电器应用已崭露头角，其市场需求呈现明显的上升趋势。但整体而言，GaN HEMT与超级结MOSFET的优缺点对比，可谓各占一半。筒子们想进一步了解在细分市场这两者的区别，关注2020英飞凌电源与传感系统云端大会，为你的开关电源设计找到创新思路！


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细分市场对更高功率密度的需求呈明显上升趋势

一次get到零电压开通高效反激拓扑电源设计
手机快充在近几年的发展势头十分迅猛，从早期的10W、15W，到最近一些大厂宣布量产的120W快充，高功率快充技术俨然成为了5G手机的标配。尽管各家手机厂商的协议不一，但USB-PD协议快充仍是普遍兼容、且持续升级迭代的标准。根据IHS的预测，USB-PD协议充电器从2018-2023年复合平均增长率为97.6%，且预计在2023年USB-PD出货量将占整个市场的52%以上。
3.png 目前，快充电源广泛使用反激拓扑，主要是因为它具有良好的宽输入与宽输出性能，能够提高反激电源功率密度与效率。如何实现高功率密度的USB-PD电源？需要从以下几个方面考量：

  • 高频（140k-250kHz，近两三年最佳工作频率）

  • 软开关拓扑

  • 平面变压器

  • 可调整的平率法则

  • 较小的共模EMI噪声


通过此次技术公开课，英飞凌专家为你详解全输入电压范围实现零电压开通的反激电源设计，分享如何设计高功率密度充电器、适配器电源及平面变压器的方法，并带来英飞凌
基于数字控制器XDPS21071的45W PD方案
，功率密度高达
22W/inch3
（无外壳），工作频率高达140kHz。由此窥见高功率密度USB-PD电源的发展趋势，助你把握最前沿的产业技术方向！


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英飞凌全新推出45W高功率密度USB-PD电源方案
了解更多电源产业的技术走向与最新方案，聚焦2020英飞凌电源与传感系统云端大会，体会极致功率的魅力、体验英飞凌合作伙伴生态系统的优势，尽在其中——
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