目前尤其在大功率半导体领域，各种结构的 MOS 管更是发挥着不可替代的作用。作为一个基础器件，往往集简单与复杂与一身，简单在于它的结构，复杂在于基于应用的深入考量。
一、MOS管的半导体结构
那么，在半导体工艺里，如何制造MOS管的？
MOS管的符号描述为：
以增强型MOS管为例，我们先简单来看下MOS管的工作原理。
如上图，在开启电压不足时，N区和衬底P之间因为载流子的自然复合会形成一个中性的耗尽区。
下图是一个简单的MOS管开启模拟：
下面我们先从器件结构的角度看一下MOS管的开启全过程。
一定范围内Vgs>Vth，Vds<vgs-vth，vgs 越大，反型层越宽，电流越大。这个区域为="" mos="" 管的线性区（可变电阻区）。即：
Vds为常数时，Vgs上升，Id近似线性上升，表现出一种压控电阻的特性。
2、Vds对MOS管沟道的控制
当Vds>Vgs-Vth后，我们可以看到因为DS之间的电场开始导致右侧的沟道变窄，电阻变大。所以电流Id增加开始变缓慢。当Vds增大一定程度后，右沟道被完全夹断了！
这个区域为MOS管的恒流区，也叫饱和区，放大区。
重点备注：MOS管与三极管的工作区定义差别
MOS管的饱和区：输出电流Id不随输出电压Vds变化。
Vgs过大会导致栅极很薄的氧化层被击穿损坏。
三、MOS管的开关过程分析
详细开启过程为：
t1~t2阶段：Vgs达到Vth后，MOS管开始逐渐开启至满载电流值Io，出现电流Ids，Ids与Vgs呈线性关系，这个阶段是MOS管的可变电阻区，或者叫线性区。
在这一区域内，因为米勒效应，等效输入电容变为（1+K）Cgd。
在放大区的MOS管，米勒电容跨接在输入和输出之间，为负反馈作用。具体反馈过程为：Vgs增大>mos开启后Vds开始下降>因为米勒电容反馈导致Vgs也会通过Cgd放电下降。这个时候，因为有外部栅极驱动电流，所以才会保持了Vgs不变，而Vds还在下降。
我们可以通过仿真看下具体过程：
目前减小MOS管米勒效应的几种措施：
b:ZVS零电压开关技术是可以消除米勒效应的，即在Vds为0时开启沟道，在大功率应用时较多。
d:有源米勒钳位。即在栅极增加三极管，关断时拉低栅极电压。
上面已经详细介绍了MOS管的工作机制，那么我们再来看datasheet这些参数就一目了然了。
功率应用中尤其考虑导通电阻、米勒电容等，高速应用中重点考虑寄生电容。
反向恢复时间是一个重要参数，它表示MOS管由开启到截止的恢复时间，时间太长会极大影响速度和功耗。
在分立器件NMOS管中，S端一般衬底，所以导致DS之间有一个寄生二极管。
寄生二极管具有保护MOS管的作用，导出瞬间反向的大电流。
4.1直接驱动
特点：驱动环路距离不能太远，否则因为寄生电感降低开关速度和导致振铃。另外，一般驱动器也难以提供很大的驱动电流。
PWM驱动通过推挽结构来驱动栅极
4.3栅极驱动加速电路
4.4PNP关断电路
五、小结
以上大概详细介绍了MOS管这一半导体基础元器件的工作原理和应用，具体到工作中还需要的是实际测试和实验，特别是不断在一些应用中，尤其是应用问题中加深理解。这样或许才能真正的把相关基础知识融入到自己的能力中，游刃有余的解决技术问题。搞技术嘛，和做人一样，从小处做，往高处看。
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