上次分享了WLCSP产品的封装流程，这次分享一下QFN产品的流程
整体流程如图：
详细介绍如下：
QA(Wafer IQC)
Wafer来料会在仓库拆包后进入产线IQC工序进行外观检查，然后根据生产安排开始正式进入到产线进行生产
Backgrind(背面减薄)
工艺目的:利用真空将wafer固定在高速旋转的研磨盘上, 使用旋转的研磨轮将wafer研磨到所需厚度
工艺过程:
1.先在wafer 正面taping以保护电路
2.研磨盘吸住wafer, 然后磨轮高速旋转对wafer 背面进行研磨, 同时用DI water清理
3.去tape后测量厚度
注意事项:
Taping时一定要平整, 否则容易造成gap
常见质量：
1.研磨印(可能原因：磨轮有异物，过大的金刚石颗粒等)
2.chipping(可能原因：磨轮质量等)
3.TTV, 晶圆内总厚度偏差=厚度最高值-厚度最小值。TTV值越小, wafer表面均匀度越好(可能原因：平台表面清洁度，磨轮质量，磨削参数设置等)
4.进水(可能原因：taping时有gap, BG水流量问题等)
Wafer SAW(切割)
工艺目的:使用金刚砂粒非常小的刀片, 安装在高速旋转的锭子上根据wafer 上的切割道对wafer进行切割成单个的die, 同时用去离子水进行清洗.
工艺过程:
1.将wafer粘帖在mylar蓝膜上, 防止在切割时晶粒散落
2.用Saw blade沿wafer切割线将wafer切割成单个的晶粒, 同时冷却液清理wafer
注意事项:
1.划片时, 先在切割道上切出一条痕迹, 然后再半切割, 最后全切割, 直至将wafer完全切开.
2.去离子水的作用, 清洗切割道和冷却刀片
3.通常需要切入mylar蓝膜10-20um, 以保障晶粒完全切割开
常见质量
1.Chipping(可能原因：刀具转速过快，DI water不够等)
2.Saw 道偏移(可能原因：参数设置，校准不准确等)
Die Attach(粘晶)
工艺目的：利用epoxy银浆将die粘帖在lead-frame上, 然后在OVEN中加热使之固化.
工艺流程：
1.Ejector顶针将一颗一颗的die从wafer上顶起,
2.由pick up吸嘴将顶起的die吸住，然后以一定的力量将die粘帖在点有epoxy银浆的Lead Frame的Pad上
3.将贴上die的L/F放入OVEN，在175°的条件下进行烘烤1hrs，完成固化，同时消除应力
注意事项:
1.Epoxy胶需保存在-45°±5°条件下, 使用前需回温2hrs
2.确保FIFO生产原则
常见质量:
1.粘帖位置: die在lead frame上X-Y位置不超过+/-4miles
2.Die 倾斜: ＜0.9miles
3.Epoxyvoid: 单个void面积占整个die面积的比例＜5%, Void总体面积＜20%
4.Epoxyon die
Wire Bond(引线键合)
工艺目的:在高温,超声波振动,压力等因素下,用金、铜等导线将粘在框架上的die与框架管脚连通, 以发挥电子信号的传输功能.
注意事项:
1.铜线必须存储在温度为20°—26°，湿度为32%—60%的条件下，且有效使用期限为6个月.
2.金线
3.线弧不可过高或者过低。过高的话，封胶后容易造成短路；过低的话，封胶或者搬运过程中容易断线
常见质量:
1.焊球不良：焊球偏移，焊球接触，焊点不粘等(可能原因：机器压力参数设置不当，加热板温度不够，压板不平导致芯片晃动，焊球位置超出铝垫太多等)
2.焊线不良：打错线，断线，打双线，漏打线等(可能原因：框架2nd 焊点不粘，线弧度设定太低，线在传送中受损，框架跳格或传送不良，劈刀损坏等)
3.塌线，线弧过高或者过低，可能原因：焊线距离过长，送线系统沾污，X、Y、Z马达调整不良等
Molding(注塑成型)
工艺目的：用EMC(epoxy molding compound)将已经焊上芯片和金线的框架塑封起来，使其不受外界环境的影响而失效
工艺过程：
1.将完成焊线的框架放入注模机的下模进行加热
2.将上模下压，并将预热后的环氧塑封料从注塑口投入到投料缸中
3.注塑杆加压，熔化后的塑封料充满模腔，将die和金线包封起来，同时腔体内的空气经空气口排出
4.待填充料硬化，开模脱模，取出成品
注意事项：
在molding前，需用plasma电浆(O2和H2混合气体)清洗，增加与Compound间的结合力，提高产品的可靠度，增加使用于寿命
常见质量：
1.填充不良(可能原因：进胶口阻塞，胶的流动性不足，进料缸和冲料杆磨损等)
2.金线歪斜(可能原因：胶的流动、黏度太高，进料口急速喷射，金线过长等)
Laser Marking(印字)
工艺目的：在产品的背面进行激光刻字，包括产品信息，公司信息，生产日期，生产批次等
注意事项：
1.功率不能太大，否则会伤到键合丝
2.为防止出错，需用dummy试打
常见质量：
1.断码(可能原因：产品上有异物，Laser光的速度过快)
2.码字不清晰(可能原因：Laser信号不稳定，频率设置过大)
Post Mold Cure(固化烘烤)
工艺目的：Molding后固化，保护IC内部结果，消除应力
工艺条件：温度175±5°，固化时间8小时
注意事项：
1.每种产品选择对应程序，包括温度控制，参数等
2.由于温度较高，在处理产品时需带高温手套
3.防静电控制
4.在固化过程中不能中断，尤其在胶的活跃期和固化期
常见质量：
在CURE工序，由于是批量烘烤，质量事故比较少，但是一出事故都是大型的质量事故。比如MRB之类的。一般由烘烤中断，温度过高，烘烤超时等造成
Tin Plating(电镀锡)
工艺目的：利用电解的方法，在框架表面镀上一层外层，以防止外界环境的影响，从而提高芯片的可靠性，导电性。
工艺流程：
1.电解除油，去除基材表面的油污
2. 酸洗，增加基材表面的活性
3.预镀铜，为后续镀银提供活性好的铜表面，增加镀层的结合强度
4.预镀银，获得结合力良好引线框架镀银层
5.局部镀银，采用高速低氰镀，满足金丝键合要求
6.退银，退到泄露到区域外的薄银层
7.清洗—烘干
常见质量：
1. 漏镀(可能原因：该区域被污染或阻挡，工艺参数不合适，电流太小，温度过高等)
2. 毛刺(可能原因：镀液中有金属杂质，IC表面不平整，电镀后发生外延生长)
SawSingulation(切割分离)
工艺目的：用saw blade将芯片从lead frame分开成独立的单个芯片
工艺流程：
1.来料检查，外观，实物与系统是否匹配
2.在框架上tape，防止芯片切割时散落
3.Blade切割
4.去tape，外观检查
常见质量：
1.Saw 偏移(可能原因：刀具校准不正确，来料时warpage等)
2.管脚分层(可能原因：刀具切割速度过快，框架污染导致EMC和框架结合力差等)
FT测试
工艺目的：通过测试机对切割的单颗芯片进行电性能测试，将废品筛选出来
常用测试设备：AccoTest, Eagle, ASL1000
编带TnR
这个跟FT测试是同时进行。测试完后，芯片由吸嘴放进载带进行编带，然后包装出货
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