板子到手后焊上 SCT3040KR 的样子如图 1 所示。
图1
针对 HS 端 MOSFET 的双脉冲测试，从 EMC 方面考虑，对以下两个方向进行了测试:辐
射发射以及 HV-LV S 参数。
图2
一、辐射发射
测试前准备:2 个 12V 电源，1 个脉冲激励，若干导线，330μH 电感，接收机，装有吸
波材料的屏蔽室。(为了安全考虑，HVdc 测电源用 12V 电源代替)
测试搭建:
图3
图4
12V 电源和 5V 脉冲激励同时工作时，板子的辐射发射量如下图(图上方的三条折线是车级
的辐射发射限值，分别是峰值，准峰值，平均值)。
图5
由图 5 可知，此评估板的辐射发射整体情况较好，但在 20MHz 附件辐射发射量较大。
接下来，关闭 5V 脉冲激励，观察仅上电情况下板子的辐射发射情况，结果如图 6
图6
将图 5、图 6 放在一起比较，如图 7:
图7
可以发现两条曲线基本重合。说明 5V 脉冲激励并没有驱动板子或者驱动电路的辐射发
射量太小。若是 5V 激励没有驱动板子，可能原因是脉冲激励的工作频率设置的太小，使负 载电感饱和，相当于负载端短路。不管是 5V 脉冲激励并没有驱动板子，还是驱动电路的辐 射发射量太小，此时所接收到的主要干扰是来自隔离变压器的，由图中的谐振点可知，隔离 变压器的工作频率是 300kHz 左右。由于实验室时间紧张，在发现问题后，无法调整实验再 次测试。
二、HV-LV S 参数
此评估板既有高压侧也有低压侧，而良好的高低压耦合衰减能力是保证 EMC 安全的一 个重要前提。
图8 HVdc侧至VCC侧的S参数
图 9 HVdc 侧至 IN_L_CLK 侧的 S 参数
图 10 HVdc 侧至 IN_H_CLK 侧的 S 参数
图 11
图 11 为使用 matlab 处理后的曲线图，将上面测试的三个耦合衰减曲线放在一起对比，可以 发现，HVdc 侧至 VCC 侧是高低压耦合衰减做的最差，而 HVdc 侧至 IN_L_CLK 侧、IN_H_CLK
侧的耦合衰减曲线基本一致。
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