该 1000V NPT IGBT 采用安森美半导体的专属沟槽设计和先进 NPT 技术，提供卓越导通和开关性能、高雪崩耐用性和轻松并联操作。此器件为 UPS 和焊接机等硬开关应用提供最佳性能。

特性


  • 高速开关

  • 低饱和电压：V[size=0.75em]CE(sat) = 2.5 V @ I[size=0.75em]C = 60A

  • 高输入阻抗

  • 内置快速恢复二极管
FGL60N100BNTD详情.jpg
应用

  • 不间断电源
  • 其他工业