SiCMOS模块产品兼容市场通用的多款模块外型,包括HP1、HPDrive,DWC-3等。
1.采用全SiC MOS芯片,发热量低,对系统散热需求小;2.无并联续流二极管,减少封装体积;
3.内置温度传感器,易于监控芯片工作状态;
4.PIN-PIN直接水冷设计,热阻降低30%以上;
5.AlN基板与AlSiC底板组合,满足高可靠性要求。模块特性:
l 最高结温175℃
l 正温度系数
l 氮化铝绝缘基板
l 直接水冷散热
l 集成负温度系数传感器
l 2.5KV绝缘电压
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ASC300N1200MH1.pdf
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ASC600N1200HPD.pdf
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ASC600N1200MD3 模块特性参数.pdf
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ASC600N1200MH1.pdf
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ASC800N1200MED.pdf
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ASC1000N900MED.pdf
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ASC1000N1200MD3.pdf
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SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于 SiC 功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、不间断电源 (UPS) 和电动汽车)中优化性能。
碳化硅MOS管-SiC Module功率模块产品简介.pdf
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