方案等级：国际标准 IEC61000-4-5 ( 10/700µs-5/320µs) 共模：4KV 差模：4KV
方案器件：
1. TSS-半导体放电管：BS4200N-2C
2. TVS-瞬态抑制二极管阵列：BV-3304P8
方案小结：
• 中间抽头引出接RC 滤波电路，半导体放电管TSS 并在RC 电路两端；由于该半导体放电管接在网络耦合器的抽头对地，防护共模雷击。
• 网络耦合器后面是TVS二极管阵列，分别并在两组线路的两线间，用于抑制差模间的残压。
• TVS阵列后面是退耦隔离电阻2.2Ω可降低残压，减少雷击残压对后级芯片的损害。
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