三极管是半导体器件，存在电阻特性，通电会发热。同时，环境温度也会随着季节和地域的不同而不同。而半导体发热，则导致集电极电流Ic变大，且温度变化很慢，变大的Ic长期存在，相当于静态点上移，Q点上升。
Q点的变化，间接造成动态数值的变化。比如有可能使得三极管进入饱和区，造成饱和失真等。
如果是测量用精密仪器，在开机时的测量值和开机一段时间后，机箱温度恒定后的测量值是不同的，原因就是机箱温度上升，半导体器件发热导致Q点上移造成的，因此精密仪器往往需要在测量前先进行开机预热。
针对温度造成的静态点漂移问题，解决思路是：当Ic随着温度上升时，减小UBE，从而减小IB、IC，增大UCE，即Q点下移。
减小UBE的措施是让VB不随着温度改变，而VE随着温度上升而增加，从而UBE=VB-VE随着温度上升而减小。
电路中在发射极串接一个电阻RE即可实现这一目标。RE可抑制IC和IE的变化，RE越大，抑制的效果越好。
但是电路中IC的变化，不仅仅是由温度引起的，还有输入信号ui引起的iC和iE的变化。RE的引入对有用的ui信号是不利的，因此有必要让RE在保持对温漂的抑制作用的同时对输入信号ui不起抑制作用，即区分温度变化和输入变化。
温度信号变化很慢，即频率低；有用的信号ui变化快，即频率高，因此在RE两端并联一个电容C，即可实现区分直流电流和交流电流。电容C对直流是开路的，直流电流完全从电阻RE上通过；电容C对交流是短路的，交流电流完全从电容C上通过，RE上无交流电流，不对有用的信号进行抑制。
因抑制温漂的电路采用了直流分压形式，而交流通路仍然是共射放大电路，故此电路称为分压偏置共射放大电路。
分压偏置共射放大电路和固定偏置共射放大电路，区别在于直流通路不同，相同的是交流通路一致。
/3 
