本帖最后由 sales_263623713 于 2022-12-13 16:42 编辑

深圳浪拓电子提供多种硅雪崩二极管(TVS二极管),旨在提供高水平可靠的保护,以防止电涌的破坏。
QQ图片20220705175002.png
硅雪崩二极管具有大面积连接点, 以提供高浪涌电流处理能力 。 它们的进一步特征是极快的响应时间和雪崩模式下的低动态阻抗 。TVS提供了几个优势,包括 :
1. 钳位电压较低
2. 没有磨损限制
3. 物理尺寸小
4. 宽电压范围
5. 高瞬态功率耗散

选择正确的瞬态电压抑制器

浪拓推荐以下指南用于选择在电路中提供最佳瞬态抑制的器件:
1. 确定被保护电路的最大直流或连续工作电压,电路的额定标准电压和最大可承受电压。
2. TVS的额定反向关断电压VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。
3. TVS的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。
4. 对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容的TVS器件。
5. 根据用途选用TVS的极性及封装结构。
QQ图片20221021122859.png


多路的TVS 阵列
当用于信号线时,经常会用到TVS阵列,浪拓电子有各种封装的多脚位TVS array,用于保护类似USB ,RJ45,HDMI等信号。
QQ图片20221021102815 - 副本.png
低速USB2.0静电防护.png